الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BCR 162T E6327
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BCR 162T E6327-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 250 mW Surface Mount PG-SC75-3D
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12834459
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BCR 162T E6327 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
4.7 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
20 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
200 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
250 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-75, SOT-416
حزمة جهاز المورد
PG-SC75-3D
رقم المنتج الأساسي
BCR 162
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
BCR 162T E6327
ورقة بيانات HTML
BCR 162T E6327-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BCR162TE6327
BCR162TE6327XT
SP000012545
BCR 162T E6327-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
DTA123EETL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
6019
DiGi رقم الجزء
DTA123EETL-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PDTA143ET,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
12477
DiGi رقم الجزء
PDTA143ET,215-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
MMUN2132LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
33518
DiGi رقم الجزء
MMUN2132LT1G-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DTA143EKAT146
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
38313
DiGi رقم الجزء
DTA143EKAT146-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DTA114EETL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
52251
DiGi رقم الجزء
DTA114EETL-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PDTC143XQAZ
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
BCR196WE6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
BCR 133F E6327
TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3
FJV3111RMTF
TRANS PREBIAS NPN 40V SOT23-3