الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BCR 162T E6327
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BCR 162T E6327-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 250 mW Surface Mount PG-SC75-3D
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12834459
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BCR 162T E6327 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
4.7 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
4.7 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
20 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
التردد - الانتقال
200 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
250 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-75, SOT-416
حزمة جهاز المورد
PG-SC75-3D
رقم المنتج الأساسي
BCR 162
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
BCR 162T E6327
ورقة بيانات HTML
BCR 162T E6327-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BCR162TE6327
BCR162TE6327XT
SP000012545
BCR 162T E6327-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
DTA123EETL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
6019
DiGi رقم الجزء
DTA123EETL-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PDTA143ET,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
12477
DiGi رقم الجزء
PDTA143ET,215-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
MMUN2132LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
33518
DiGi رقم الجزء
MMUN2132LT1G-DG
سعر الوحدة
0.01
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DTA143EKAT146
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
38313
DiGi رقم الجزء
DTA143EKAT146-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DTA114EETL
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
52251
DiGi رقم الجزء
DTA114EETL-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PDTC143XQAZ
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
BCR196WE6327HTSA1
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
BCR 133F E6327
TRANS PREBIAS NPN 50V TSFP-3
FJV3111RMTF
TRANS PREBIAS NPN 40V SOT23-3